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标准物质/7种混合标准溶液-硅磷铬锰镍铜钼Si,P,Cr,Mn,Ni,Cu,Mo/介质:10%硝酸+tr.盐酸+tr.氢氟酸介绍:

产品组成:
编号 产品浓度
NCS1453130 1000μg/mL

您正在浏览的产品:标准物质/7种混合标准溶液-硅磷铬锰镍铜钼Si,P,Cr,Mn,Ni,Cu,Mo/介质:10%硝酸+tr.盐酸+tr.氢氟酸

手机版:标准物质/7种混合标准溶液-硅磷铬锰镍铜钼Si,P,Cr,Mn,Ni,Cu,Mo/介质:10%硝酸+tr.盐酸+tr.氢氟酸

本公司销售的所有产品仅供实验科研使用,不用于人体及临床诊断。

国标解读:GB/T 24582-2009

标准名称及标准号:
《酸浸取-电感耦合等离子体质谱法测定多晶硅表面金属杂质》GB/T 24582-2009

适用范围:
适用于多晶硅表面铝、镍、铬、铜、锰、钼等22种金属杂质的测定,涵盖您使用的Si,P,Cr,Mn,Ni,Cu,Mo元素。适用于半导体级多晶硅材料表面金属污染分析。

核心检测方法:
1. 酸浸取前处理:使用氢氟酸-硝酸混合酸体系浸取表面金属杂质
2. 检测设备:电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)
3. 定量方式:内标法定量(推荐使用Rh,In,Re作为内标元素)

检出限与定量限:
• 硅(Si)检出限:0.5μg/m²
• 磷(P)检出限:0.05μg/m²
• 铬(Cr)检出限:0.01μg/m²
• 锰(Mn)/镍(Ni)/铜(Cu)检出限:0.02μg/m²
• 钼(Mo)检出限:0.005μg/m²
定量限一般为检出限的3-5倍

质控样品要求:
1. 每批次需带空白样品(高纯硅片)
2. 每10个样品插入1个质控样
3. 使用有证标准物质(CRM)验证回收率
4. 内标元素回收率控制在85%-115%
5. 平行样相对偏差≤20%

关键实验步骤:
1. 样品前处理:将多晶硅样品放入聚四氟乙烯消解罐,加入适量HF+HNO₃混合酸
2. 浸取程序:在超净工作台中室温浸取10分钟,避免剧烈反应
3. 定容转移:用超纯水定容至50mL聚乙烯容量瓶
4. 仪器分析:ICP-MS采用碰撞反应池技术消除质谱干扰
5. 数据处理:根据内标校正曲线计算元素含量

特别说明:
1. 氢氟酸使用安全:必须在通风橱中操作,佩戴防酸手套和护目镜
2. 容器选择:使用PTFE或PFA材质容器,避免玻璃器皿
3. 硅的特殊处理:需优化ICP-MS的射频功率和采样深度消除硅基体效应
4. 钼的记忆效应:分析后需用5%氨水+2%EDTA溶液冲洗系统10分钟
5. 磷的干扰校正:采用动态反应池(DRC)技术消除³⁸Ar¹H⁺对³⁹K⁺的干扰

国标解读:GB/T 20975.25-2020

标准名称及标准号:
《铝及铝合金化学分析方法 第25部分:元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法》GB/T 20975.25-2020

适用范围:
适用于铝及铝合金中硅(0.001%-18%)、铜(0.001%-12%)、锰(0.001%-2%)、镍(0.001%-3%)、铬(0.001%-0.5%)、钼(0.001%-0.3%)等元素的测定。

核心检测方法:
1. 样品溶解:盐酸-硝酸混合酸溶解,氢氟酸处理含硅样品
2. 检测设备:电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)
3. 光谱选择:推荐使用高灵敏度轴向观测模式
4. 谱线选择(示例):
  • Si 251.611nm
  • P 178.284nm
  • Cr 267.716nm
  • Mn 257.610nm

以上信息仅供参考,请以相应标准的原文为准!