• 欢迎来到萘析商城
当前位置: 首页 标准物质 基质类 单标 硅单晶电阻率标准物质
硅单晶电阻率标准物质_
图片仅供参考,具体产品以实物为准!

硅单晶电阻率标准物质

GBW13703 {{goodObj.price > 0 ? '¥' + goodObj.price : '咨询'}} ¥{{goodObj.sell_price || 0}} 咨询 套/4片 {{inventory}} {{goodObj.date}} 中国计量院 {{item.norm}}

硅单晶电阻率标准物质介绍:


使用注意事项:使用时用镊子取出标准物质片,放置测量样片台上
特征形态:固态
基体:硅单晶材料
主要分析方法:
定值单位:中国计量科学研究院
规格:套/4片
定级证书量值信息:
标准值 相对不确定度(%) 单位 CAS 备注
电阻率标称值 1 1.5 电阻率标称值(·cm)
径向不均匀度(%)(距边缘6mm以内) 3 1.5 径向不均匀度(%)

保存条件:
保存条件:干净通风干燥的地方保存
研制单位名称:中国计量科学研究院

您正在浏览的产品:硅单晶电阻率标准物质

手机版:硅单晶电阻率标准物质

以上信息仅供参考,请以实物批次为准!

标准名称

标准名称
GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率测定方法

适用范围

适用范围
适用于硅单晶材料在室温下的电阻率测定,适用于N型或P型掺杂样品,电阻率范围0.001-3000 Ω·cm。

核心检测方法

核心检测方法
采用四探针法,通过直线或方形探针排列施加恒定电流,测量电压降并计算电阻率值。

检出限与定量限

检出限与定量限
检出限为0.001 Ω·cm,定量限为0.005 Ω·cm,适用于高纯度硅单晶样品的精确测量。

质控样品要求

质控样品要求
需使用经认证的硅单晶标准物质进行校准,样品表面要求平整无氧化层,厚度≥0.5 mm。

关键实验步骤

关键实验步骤
1. 样品预处理(研磨、清洗、干燥);
2. 四探针间距校准;
3. 恒流源稳定性测试;
4. 电压测量重复性验证(≥3次)。

特别说明

特别说明
测试环境需保持温度稳定(23±1℃),高阻样品需屏蔽电磁干扰,探针压力应控制在0.5-1.0 N范围内。

以上信息仅供参考,请以相应标准的原文为准!

客服软件