硅单晶电阻率标准物质_单标_基质类_标准物质_萘析商城

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硅单晶电阻率标准物质

GBW13707

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套/4片

中国计量院

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硅单晶电阻率标准物质介绍：

使用注意事项：使用时用镊子取出标准物质片，放置测量样片台上
特征形态：固态
基体：硅单晶材料
主要分析方法：
定值单位：中国计量科学研究院
规格：套/4片
定级证书量值信息：

	标准值	相对不确定度(%)	单位	CAS	备注
电阻率标称值	75	1.5	电阻率标称值(·cm)
径向不均匀度（％）（距边缘6mm以内）	3	1.5	径向不均匀度(%)

保存条件：
保存条件：干净通风干燥的地方保存
研制单位名称：中国计量科学研究院

以上信息仅供参考，请以实物批次为准！

标准名称	GB/T 1551-2016 硅单晶电阻率测定方法
适用范围	适用于硅单晶材料在室温（23±2℃）下的电阻率测量，覆盖0.001 Ω·cm至3000 Ω·cm范围，适用于直拉法（CZ）和悬浮区熔法（FZ）制备的样品。
核心检测方法	四探针法：通过线性排列的四探针施加恒定电流并测量电压差，结合几何修正因子计算电阻率。要求样品表面平整、无氧化层，厚度大于探针间距的4倍。
检出限与定量限	检出限为0.001 Ω·cm，定量限为0.01 Ω·cm，测量不确定度≤±5%（高阻区）或≤±3%（低阻区）。
质控样品要求	需使用经认证的硅单晶标准物质（如GBW 04201）校准设备，样品直径≥50 mm，厚度≥0.5 mm，表面粗糙度Ra≤0.1 μm，测试前需用无水乙醇清洁并氮气吹干。
关键实验步骤	1. 样品预处理：切割后机械抛光至镜面； 2. 探针压力校准：确保每根探针压力为1.96±0.05 N； 3. 电流选择：根据预估电阻率选择0.1 mA至10 mA测试电流； 4. 数据采集：每个点位测量3次取均值。
特别说明	高阻样品（＞100 Ω·cm）需在屏蔽箱内测量以避免环境电磁干扰，测试环境湿度需控制在40%±5%。若样品存在明显各向异性，需标注晶向（如<111>或<100>）。

以上信息仅供参考，请以相应标准的原文为准！