硅片6N_纯品_无机类_标准物质_萘析商城

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硅片6N

NCS1544

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1 片

钢研纳克

见证书

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硅片6N介绍：

产品组成：

编号	规格	纯度
NCS1544	片状 T0.15mm	6N

您正在浏览的产品：硅片6N

手机版：硅片6N

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本公司销售的所有产品仅供实验科研使用，不用于人体及临床诊断。

GB/T 12964-2015《硅单晶抛光片》

适用范围	适用于半导体行业用直径≥76mm的硅单晶抛光片，包括6N（99.9999%）高纯硅片的表面质量、几何参数、电学性能检测。

核心检测方法

1. 表面颗粒度检测：激光散射计数法（0.1-5μm颗粒）
2. 电阻率测试：四探针法（按GB/T 1551执行）
3. 氧碳含量：FTIR红外光谱法（按GB/T 1558执行）
4. 表面平整度：激光干涉仪测量TTV≤5μm

检出限与定量限

1. 表面金属污染：TXRF法检出限0.1E10 atoms/cm²
2. 氧含量检测：FTIR法定量限3E15 atoms/cm³
3. 表面颗粒：激光计数器可检出≥0.1μm颗粒
4. 电阻率：四探针法精度±0.5%（0.001-100Ω·cm范围）

质控样品要求

1. 每批次需包含N型/P型对照样品各1片
2. 表面粗糙度标准片：Ra值0.1nm±5%
3. 电阻率标准片：标定值不确定度<1%
4. 所有标准物质需有可溯源至NIM的证书

关键实验步骤

1. 超净环境处理：Class 1洁净室中进行样品拆封
2. 表面预处理：SC-1溶液（NH₄OH:H₂O₂:H₂O=1:1:5）清洗
3. 电阻率测试：四探针需在23±0.5℃恒温下进行
4. 晶向测定：X射线衍射仪θ角扫描精度±0.01°
5. 数据记录：按标准附录B格式记录表面缺陷分布图

特别说明	1. 6N纯度检测需排除取样污染，建议使用石英刀具 2. 表面金属检测需在取样后4h内完成 3. 氧含量测定需校正硅片厚度变化影响 4. 参照SEMI MF1726进行洁净度验证 5. 测试环境要求：温度22±1℃，湿度45±5%RH

以上信息仅供参考，请以相应标准的原文为准！