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硅粒6N

NCS1543

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50g

钢研纳克

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硅粒6N介绍：

产品组成：

编号	纯度
NCS1543	6N

您正在浏览的产品：硅粒6N

手机版：硅粒6N

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GB/T 24582-2009 高纯硅中痕量元素的测定辉光放电质谱法

标准名称及标准号：GB/T 24582-2009《酸溶氢化物原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属杂质》
适用于6N级高纯硅表面金属杂质定量分析

适用范围：
1. 测定高纯硅（纯度≥99.9999%）表面金属杂质
2. 适用元素：Fe、Cr、Ni、Cu、Zn等16种金属
3. 适用于多晶硅、单晶硅材料质量控制

核心检测方法：
1. 酸溶解样品表面
2. 氢化物发生原子吸收光谱法(HG-AAS)
3. 三步消解流程：HF-HNO₃混合酸溶解→氢化物发生→原子化检测
4. 采用标准加入法消除基体干扰

检出限与定量限：
1. Fe检出限：0.03μg/m²
2. Cu定量限：0.12μg/m²
3. Ni检测范围：0.05-50μg/m²
4. 相对标准偏差(RSD)≤15%

质控样品要求：
1. 使用NIST SRM 2139硅标准物质
2. 每批次插入空白样品和加标样品
3. 平行样数量≥3个
4. 加标回收率控制在85%-115%

关键实验步骤：
1. 硅粒表面清洗：超纯水→HF(1%)→超纯水三级清洗
2. 密闭消解：HF(5mL)+HNO₃(2mL) 60℃水浴30min
3. 氢化物发生：加入0.1% NaBH₄溶液反应
4. AAS检测：优化载气流量，选择特征吸收波长

特别说明：
1. 操作需在100级超净环境中进行
2. HF具有强腐蚀性，需使用PTFE消解罐
3. 避免使用金属镊子接触样品
4. 需监控实验室环境温湿度(23±2℃, 45±10%)

GB/T 1557-2006 硅单晶中间隙氧含量的红外吸收测量方法

标准名称及标准号：GB/T 1557-2006《硅单晶中间隙氧含量的红外吸收测量方法》
适用于6N级硅单晶氧杂质测定

适用范围：
1. 测量硅单晶中间隙氧原子浓度
2. 检测范围：1×10¹⁵~2×10¹⁸ atoms/cm³
3. 适用于直拉法(CZ)和区熔法(FZ)单晶硅

核心检测方法：
1. 傅里叶变换红外光谱法(FTIR)
2. 低温双光束测量模式(77K)
3. 基于1107cm⁻¹特征吸收峰计算氧含量
4. 使用Beer-Lambert定律定量

检出限与定量限：
1. 最低检出限：5×10¹⁴ atoms/cm³
2. 定量下限：1×10¹⁵ atoms/cm³
3. 测量不确定度：±5% (浓度>10¹⁶ atoms/cm³)
4. 分辨率要求：≤0.5cm⁻¹

质控样品要求：
1. 使用NIST SRM 2547标准参考物质
2. 每次测量前校准仪器响应
3. 样品厚度需精确测量至±0.01mm
4. 需进行背景扣除和基线校正

关键实验步骤：
1. 样品制备：双面抛光，厚度2±0.1mm
2. 低温测量：液氮环境下稳定10min
3. 光谱采集：分辨率4cm⁻¹，扫描64次
4. 数据处理：扣除300-400cm⁻¹背景吸收

特别说明：
1. 样品需避光保存防止表面氧化
2. 测量前需进行仪器零点校准
3. 温度波动需控制在±1K范围内
4. 需定期验证校准系数（每6个月）

GB/T 26072-2010 太阳能级硅中B、P杂质检测方法

标准名称及标准号：GB/T 26072-2010《太阳能电池用硅材料中B、P杂质含量测定方法》
适用于6N硅中关键掺杂元素检测

适用范围：
1. 测定太阳能级硅中硼磷含量
2. B检测范围：0.01-1000ppb
3. P检测范围：0.05-2000ppb
4. 适用于多晶硅锭、硅片等形态样品

核心检测方法：
1. 电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)
2. 酸消解前处理：HNO₃+HF混合体系
3. 采用碰撞反应池技术消除干扰
4. 内标法定量（使用¹¹⁵In作为内标）

检出限与定量限：
1. B检出限：0.008ppb
2. P定量限：0.02ppb
3. 线性范围：0.01-100ppb（R²≥0.999）
4. 重复性：RSD≤8%

质控样品要求：
1. 使用NIST SRM 57c硅标准物质
2. 每10个样品插入1个质控样
3. 消解空白样必须同时处理
4. 内标回收率要求：95%-105%

关键实验步骤：
1. 消解程序：微波消解(180℃/20min)→赶酸(120℃)
2. 定容介质：2% HNO₃溶液
3. ICP-MS参数：RF功率1550W，载气流速1.05L/min
4. 质量数选择：¹¹B和³¹P，避免⁴⁰Ar³¹P干扰

特别说明：
1. 需使用高纯石英消解罐
2. 样品称量需在万级洁净台操作
3. 定期清洗雾化器和采样锥
4. 记忆效应明显，需充分冲洗进样系统

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