锗空心阴极灯
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高纯长镍囊
NCSCNN-A | 见证书
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HLB亲水亲脂平衡固相萃取96孔板
NB-NM-WHLB-2010 | HLB 96-Well Plates 10mg/2mL
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SCX强阳离子交换固相萃取96孔板
NB-NM-WSCX-1100 | SCX 96-Well Plates 100mg/1mL
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C18十八烷基固相萃取96孔板
NB-NM-WC18-1025 | C18 96-Well Plates 25mg/1mL
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IC-Ag 1mL前处理小柱
NB-NM-ICAg-1000 | IC-Ag 1mL
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GB/T 6150.15-2020《钨精矿化学分析方法 第15部分：锗含量的测定 石墨炉原子吸收光谱法》
适用于钨精矿中锗含量的定量检测，检测范围0.0005%～0.020%（质量分数）。当样品基体成分相似时，该方法可扩展应用于其他矿产品及固体废物中痕量锗的测定。
使用锗空心阴极灯作为激发光源，采用石墨炉原子吸收光谱法（GFAAS）。样品经酸消解后，在257.3nm特征波长下测量锗原子蒸气对特征谱线的吸收强度，通过标准曲线法进行定量分析。
方法检出限（MDL）为0.15μg/g，定量限（LOQ）为0.50μg/g。当锗含量低于LOQ时需采用标准加入法或预富集处理。
1. 每批次需同步测定空白样品、标准物质（推荐GBW07286钨精矿标样）
2. 样品重复测定不少于3次，相对标准偏差（RSD）应≤10%
3. 加标回收率需控制在85%～115%范围内
4. 标准曲线相关系数（R²）≥0.995
1. 样品消解：称取0.2g试样，采用HNO₃-HF-HClO₄三元混酸体系微波消解
2. 基体改进：消解液中加入0.5mg/mL镍盐溶液作为基体改进剂
3. 仪器参数：灯电流8mA，狭缝宽度0.7nm，灰化温度1200℃，原子化温度2600℃
4. 进样量：20μL样品溶液+5μL改进剂
5. 测量：氩气保护下，读取257.3nm处吸光度峰值面积
1. 锗易挥发损失：消解温度需严格控制≤180℃，待HClO₄白烟冒尽立即停止加热
2. 记忆效应防范：原子化后需执行2800℃高温净化程序，避免石墨管残留
3. 干扰消除：试样中＞0.1%的砷、锡会产生负干扰，需加入硫脲-抗坏血酸混合掩蔽剂
4. 容器选择：避免使用玻璃器皿（吸附锗），全程使用聚四氟乙烯消解罐和塑料容量瓶
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