硅单晶电阻率标准物质_单标_基质类_标准物质_萘析商城

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硅单晶电阻率标准物质

GBW13702

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套/4片

中国计量院

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硅单晶电阻率标准物质介绍：

使用注意事项：使用时用镊子取出标准物质片，放置测量样片台上
特征形态：固态
基体：硅单晶材料
主要分析方法：
定值单位：中国计量科学研究院
规格：套/4片
定级证书量值信息：

	标准值	相对不确定度(%)	单位	CAS	备注
电阻率标称值	0.1	1.5	电阻率标称值(·cm)
径向不均匀度（％）（距边缘6mm以内）	4	1.5	径向不均匀度(%)

保存条件：
保存条件：干净通风干燥的地方保存
研制单位名称：中国计量科学研究院

以上信息仅供参考，请以实物批次为准！

标准名称	GB/T 1551-2016《硅单晶电阻率测定方法》

适用范围	适用于直拉法或区熔法生产的硅单晶棒、硅片及硅外延片的电阻率检测，测量范围0.001 Ω·cm～100 Ω·cm，温度条件为23±1℃。

核心方法	四探针法：通过四根等间距探针施加电流并测量电压差，根据范德堡公式计算电阻率。要求探针压力≤500 mN，间距误差≤±0.5%。

技术指标	检出限(LOD)为0.0005 Ω·cm，定量限(LOQ)为0.001 Ω·cm。重复性要求RSD≤2%，再现性偏差≤5%。

质控要求	需使用NIST标准物质进行校准，质控样电阻率需覆盖测试范围。每批次测试插入2个质控样，偏差超过±3%需重新校准。

操作流程	1. 样品表面乙醇清洁 2. 恒温处理30分钟 3. 探针压力校准 4. 五点法测量（中心及四角） 5. 温度补偿计算

注意事项	1. 高阻样品（>10 Ω·cm）需屏蔽电磁干扰 2. 测量n型硅时需考虑少子注入效应 3. 厚度<0.5 mm样品需修正边缘效应

以上信息仅供参考，请以相应标准的原文为准！