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硅单晶电阻率标准物质

GBW13706

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套/4片

中国计量院

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硅单晶电阻率标准物质介绍：

使用注意事项：使用时用镊子取出标准物质片，放置测量样片台上
特征形态：固态
基体：硅单晶材料
主要分析方法：
定值单位：中国计量科学研究院
规格：套/4片
定级证书量值信息：

	标准值	相对不确定度(%)	单位	CAS	备注
电阻率标称值	25	1.5	电阻率标称值(·cm)
径向不均匀度（％）（距边缘6mm以内）	3	1.5	径向不均匀度(%)

保存条件：
保存条件：干净通风干燥的地方保存
研制单位名称：中国计量科学研究院

以上信息仅供参考，请以实物批次为准！

标准名称	GB/T 1552-2021 硅单晶电阻率测定方法直线四探针法
适用范围	适用于硅单晶电阻率的无损检测，测量范围0.0008-3000 Ω·cm，晶向为<111>或<100>的抛光片或研磨片。
核心检测方法	直线四探针法，通过恒定电流测量电压差计算电阻率，需修正几何因子和温度系数。
检出限与定量限	最低检出限0.0005 Ω·cm，定量下限0.001 Ω·cm，测量不确定度≤±5%。
质控样品要求	需使用NIST标准物质（如SRM 2541）校准设备，平行样偏差≤3%，每日校准频率≥1次/8小时。
关键实验步骤	样品表面清洁处理（异丙醇超声清洗）、探针压力校准（500±50g）、环境温度控制（23±1℃）。
特别说明	需注意各向异性修正（100晶向修正系数1.02），高阻样品需采用屏蔽测量装置。

标准名称	GB/T 1551-2021 硅单晶导电类型测定方法冷热探针法
适用范围	适用于电阻率0.001-3000 Ω·cm的硅单晶导电类型判定，可区分n型/p型半导体。
核心检测方法	通过温差电动势效应判定导电类型，热探针温度差设定为20±2℃。
检出限与定量限	定性检测方法，无定量要求，判定准确度≥99.5%。
质控样品要求	需使用已知类型的标准样品进行设备验证，每日测试前需做阳性对照。
关键实验步骤	探针间距设定（2.0±0.1mm）、样品表面粗糙度控制（Ra≤0.1μm）、环境湿度≤40%RH。
特别说明	高阻样品需延长热平衡时间至3分钟，测量时需避免光照干扰。

标准名称	SJ/T 11483-2014 硅材料检测通用规范
适用范围	涵盖硅单晶、多晶硅及硅片的物理性能检测通用要求。
核心检测方法	规定实验室环境（温度23±1℃、湿度50±5%RH）、仪器校准周期（≤12个月）。
质控要求	要求每批次检测包含10%平行样，数据修约规则为四舍六入五成双。
特别说明	强调检测报告必须包含测量不确定度评估，需注明修正因子来源。

以上信息仅供参考，请以相应标准的原文为准！