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硅单晶电阻率标准物质_
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硅单晶电阻率标准物质

GBW13705 {{goodObj.price > 0 ? '¥' + goodObj.price : '咨询'}} ¥{{goodObj.sell_price || 0}} 咨询 套/4片 {{inventory}} {{goodObj.date}} 中国计量院 {{item.norm}}

硅单晶电阻率标准物质介绍:


使用注意事项:使用时用镊子取出标准物质片,放置测量样片台上
特征形态:固态
基体:硅单晶材料
主要分析方法:
定值单位:中国计量科学研究院
规格:套/4片
定级证书量值信息:
标准值 相对不确定度(%) 单位 CAS 备注
电阻率标称值 10 3 电阻率标称值(·cm)
径向不均匀度(%)(距边缘6mm以内) 3 1.5 径向不均匀度(%)

保存条件:
保存条件:干净通风干燥的地方保存
研制单位名称:中国计量科学研究院

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GB/T 1551-2016《硅单晶电阻率测定方法》

标准名称 GB/T 1551-2016《硅单晶电阻率测定方法》
适用范围 适用于硅单晶材料在室温(23±1℃)下的电阻率测量,测量范围0.001 Ω·cm~100 Ω·cm。
核心检测方法 采用四探针法,通过线性排列的四探针施加恒定电流并测量电压差,计算电阻率。
检出限与定量限 检出限为0.0005 Ω·cm,定量限为0.001 Ω·cm,误差范围≤±5%。
质控样品要求 需使用经认证的标准物质校准设备,样品表面粗糙度Ra≤0.1 μm,厚度≥0.5 mm,且无可见缺陷。
关键实验步骤 1. 样品表面清洁(乙醇超声处理);
2. 探针间距校准;
3. 电流源稳定输出(推荐1 mA~100 mA);
4. 多点测量取平均值。
特别说明 高阻样品(>10 Ω·cm)需屏蔽环境电磁干扰,低阻样品需控制测量时间避免温升影响。

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