硅单晶电阻率标准物质_单标_基质类_标准物质_萘析商城

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硅单晶电阻率标准物质

GBW13708

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套/4片

中国计量院

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硅单晶电阻率标准物质介绍：

使用注意事项：使用时用镊子取出标准物质片，放置测量样片台上
特征形态：固态
基体：硅单晶材料
主要分析方法：
定值单位：中国计量科学研究院
规格：套/4片
定级证书量值信息：

	标准值	相对不确定度(%)	单位	CAS	备注
电阻率标称值	180	1.5	电阻率标称值(·cm)
径向不均匀度（％）（距边缘6mm以内）	3	1.5	径向不均匀度(%)

保存条件：
保存条件：干净通风干燥的地方保存
研制单位名称：中国计量科学研究院

以上信息仅供参考，请以实物批次为准！

标准名称	硅单晶电阻率测定方法

适用范围	适用于硅单晶材料的电阻率测量，包括直拉法和区熔法制备的P型、N型单晶硅片，测量范围0.001 Ω·cm至2000 Ω·cm。

核心检测方法

四探针法（Van der Pauw法）及直线四探针法，要求测量环境温度23±1℃，湿度≤60%RH，需进行样品表面预处理以消除氧化层影响。

检出限与定量限

检出限为0.0005 Ω·cm，定量下限为0.001 Ω·cm（四探针法）；高阻区（>1000 Ω·cm）需采用三探针法补充验证。

质控样品要求

需使用经认证的标准物质校准仪器，样品厚度需≥0.5 mm且表面粗糙度Ra≤0.1 μm，测试前需用氢氟酸去除表面氧化层。

关键实验步骤

1. 样品预处理（清洗、酸蚀）；
2. 探针间距校准（误差≤±1%）；
3. 多点测量取平均值（至少5个点）；
4. 温度补偿计算。

特别说明	高阻样品（>1000 Ω·cm）需在暗室中操作以避免光生载流子干扰，测量结果需标注温度修正系数及测量不确定度（通常≤±5%）。

以上信息仅供参考，请以相应标准的原文为准！