痢疾志贺氏菌 Shigella dysenteriae CICC 23829(GB 4789.28-2024/GB 4789.28-2013)
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2. 分离培养:划线接种XLD琼脂、MAC琼脂或志贺显色培养基,36±1℃培养20-24小时(必要时延长至48小时)[1]。
3. 初步生化实验:挑取典型菌落接种TSI、半固体和营养琼脂斜面,36±1℃培养20-24小时。
2. 每批次实验需同步进行阳性对照(标准菌株)和阴性对照[1]。
2. 增菌条件:严格控制温度(41.5±1℃)及厌氧环境。
3. 分离培养:优先选用XLD琼脂和MAC琼脂双平板法。
4. 生化验证:TSI斜面反应观察及动力试验(半固体穿刺)[1]。
2. 对不典型菌落需延长培养至48小时再观察。
3. 注意宋内氏志贺氏菌的乳糖迟缓发酵特性[1]。
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